Wykaz publikacji wybranego autora

Witold Skowroński, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-4568-2688 orcid iD

ResearcherID: C-2235-2013

Scopus: 36549232400

PBN: 5e7093ed878c28a0473b3692

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
2
  • [artykuł w czasopiśmie, 2020]
  • TytułOptimization of spin Hall magnetoresistance in heavy-metal/ferromagnetic-metal bilayers
    AutorzyŁukasz KARWACKI, Krzysztof GROCHOT, Stanisław ŁAZARSKI, Witold SKOWROŃSKI, Jarosław KANAK, Wiesław POWROŹNIK, Józef Barnaś, Feliks Stobiecki, Tomasz STOBIECKI
    ŹródłoScientific Reports [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne. — 2020 vol. 10 art. no. 10767, s. [1-8]. — tekst: https://www.nature.com/articles/s41598-020-67450-3.pdf
3
  • [patent, wzór użytkowy, przemysłowy, 2020]
  • TytułSposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci
    InventorAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: Piotr RZESZUT, Witold SKOWROŃSKI, Sławomir ZIĘTEK, Tomasz STOBIECKI
    DetailsInt.Cl.: G11C 11/00textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis patentowy ; PL 235585 B1 ; Udziel. 2020-04-06 ; Opubl. 2020-09-07. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL235585B1.pdf