Wykaz publikacji wybranego autora

Maria Jurzecka-Szymacha, dr inż.

specjalista

Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
WIMiC-kfmp, Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / inżynieria materiałowa

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-1368-9199 orcid iD

ResearcherID: B-3923-2017

Scopus: 38361639600

PBN: 5e70937a878c28a0473aa9c5

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
  • [referat, 2007]
  • TytułAmorficzne warstwy azotku krzemu ${a-Si_{x}N_{y}:H}$ na polikrystalicznym krzemie
    AutorzyMaria JURZECKA, Stanisława JONAS, Stanisława KLUSKA, Rafał M. NOWAK, Karol KYZIOŁ
    ŹródłoVI Konferencja Polskiego Towarzystwa Ceramicznego : Zakopane 13–16 września 2007 r. : streszczenia, program / red. z. Zbigniew Pędzich ; Polskie Towarzystwo Ceramiczne. — Kraków : PTC, cop. 2007. — S. 135
2
  • [referat, 2006]
  • TytułAmorphous $a-Si_{x}N_{y}:H$ layers on silicon substrate for application in solar cells
    AutorzyMaria JURZECKA, Stanisława JONAS, Stanisława KLUSKA
    ŹródłoE-MRS 2006 fall meeting : Warsaw (Poland), 4th – 8th September, 2006 : scientific programme and book of abstracts / European Materials Research Society. — [Warsaw : Warsaw University of Technology], [2006]. — S. 38, Poster A/PII.11
3
  • [referat, 2015]
  • TytułOn the correlation between the chemical composition of the amorphous $a-Si_{x}C_{y}N_{z}(H)$ layers deposited by PACVD and their band gap
    AutorzyJanusz Jaglarz, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Stanisława KLUSKA, Tomasz STAPIŃSKI, Barbara SWATOWSKA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH
    ŹródłoSENM 2015 [Dokument elektroniczny] : Smart Engineering of New Materials : 22–25 June 2015 Lodz, Poland : abstract book. — [Lodz : s. n.], [2015]. — S. [1]
4
  • [referat, 2015]
  • TytułOn the correlation between the chemical composition of the amrophous $a-Si_{x}C_{y}N_{z}(H)$ layers deposited by PACVD and their band gap
    AutorzyStanisława KLUSKA, Janusz Jaglarz, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Tomasz STAPIŃSKI, Barbara SWATOWSKA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH
    ŹródłoMicroTherm 2015 [Dokument elektroniczny] : Microtechnology and Thermal Problems in Electronics : June 23textsuperscript{rd} – June 25textsuperscript{th} 2015, Lodz, Poland : official proceedings / ed. Jacek Podgórski. — Lodz : Lodz University of Technology, cop. 2015. — S. 31–35
5
  • [referat, 2007]
  • TytułOtrzymywanie i właściwości warstw ${a-C:N:H}$ na poliwęglanie
    AutorzyRafał M. NOWAK, Stanisława JONAS, Karol KYZIOŁ, Maria JURZECKA
    ŹródłoVI Konferencja Polskiego Towarzystwa Ceramicznego : Zakopane 13–16 września 2007 r. : streszczenia, program / red. z. Zbigniew Pędzich ; Polskie Towarzystwo Ceramiczne. — Kraków : PTC, cop. 2007. — S. 47
6
  • [referat, 2007]
  • TytułPE CVD deposition of amorphous ${a-Si_{x}N_{y}:H}$ layers on polycrystalline silicon
    AutorzyMaria JURZECKA, Stanisława KLUSKA, Stanisława JONAS, Halina CZTERNASTEK, Katarzyna ZAKRZEWSKA
    ŹródłoELTE 2007 : IX electron technology conference : Kraków 4–7.09.2007 : book of abstracts / eds. Katarzyna Zakrzewska, Halina Czternastek, Barbara Swatowska, Michał Warzecha ; AGH University of Science and Technology. Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Electronics. Department of Electronics. — Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, [2007]. — S. 257
7
  • [referat, 2010]
  • TytułSilicon nitride layers of various N-content : technology, properties and structure : [abstract]
    AutorzyMaria JURZECKA-SZYMACHA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH, Stanisława KLUSKA
    ŹródłoTCM 2010 [Dokument elektroniczny] : 3rd international symposium on Transparent Conductive Materials (former TCO) : 17–21 October, 2010, Analipsi/ Herosonissos, Greece. — [s. l. : s. n.], [2010]. — S. [1]
8
  • [referat, 2009]
  • TytułSilicon nitride layers of various n-content: technology, properties and structure modelling
    AutorzyMaria JURZECKA-SZYMACHA, Piotr BOSZKOWICZ, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH, Stanisława JONAS
    ŹródłoICCS15 [Dokument elektroniczny] : 15textsuperscript{th} International conference on Composite Structures : Porto, Portugal, June 15–17, 2009. — [Portugal : s. l.], [2009]. — S. 1–3
9
  • [referat, 2015]
  • TytułTermooptyczne właściwości warstw a-Si:H otrzymywanych w procesie PACVD
    AutorzyEwa BARANIAK, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Janusz Jaglarz
    ŹródłoDokonania naukowe doktorantów 3 [Dokument elektroniczny] : materiały konferencyjne – streszczenia : materiały Konferencji Młodych Naukowców : Kraków, 18.04.2015 r. / oprac. Marcin Kuczera, Krzysztof Piech. — Kraków : CREATIVETIME, [2015]. — S. 86
10
  • [referat, 2013]
  • TytułThe preparation and properties of amorphous-silicon layers (a-Si:H) for applications in photovoltaics
    AutorzyEwa PIECZYŃSKA, Piotr BOSZKOWICZ, Maria JURZECKA-SZYMACHA
    ŹródłoVIII Krakow conference of young scientists 2013 : Krakow, September 26–28, 2013 : book of abstracts / AGH University of Science and Technology in Krakow, Grupa Naukowa Pro Futuro. — Krakow : Agencja Reklamowo-Wydawnicza ”OSTOJA”, 2013. — S. 11
11
  • [referat, 2007]
  • TytułWpływ parametrów procesu RF CVD na stabilność warstw ${a-C:N:H}$
    AutorzyKarol KYZIOŁ, Stanisława JONAS, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH, Rafał M. NOWAK, Maria JURZECKA
    ŹródłoVI Konferencja Polskiego Towarzystwa Ceramicznego : Zakopane 13–16 września 2007 r. : streszczenia, program / red. z. Zbigniew Pędzich ; Polskie Towarzystwo Ceramiczne. — Kraków : PTC, cop. 2007. — S. 136