Wykaz publikacji wybranego autora

Aimo Winkelmann, dr hab.

profesor nadzwyczajny

Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii
ACMIN-zim, Zakład Inżynierii Materiałowej

  • 2019

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-6534-693X orcid iD

ResearcherID: E-8606-2010

Scopus: 6701442404

PBN: 5e7094f9878c28a0473c82b0

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
2
  • [artykuł w czasopiśmie, 2020]
  • TytułAbsolute structure from scanning electron microscopy
    AutorzyUlrich Burkhardt, Horst Borrmann, Philip Moll, Marcus Schmidt, Yuri Grin, Aimo WINKELMANN
    ŹródłoScientific Reports [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne. — 2020 vol. 10 iss. 1 art. no. 4065, s. 1–10. — tekst: https://www.nature.com/articles/s41598-020-59854-y.pdf

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1038/s41598-020-59854-y

3
4
5
6
  • [artykuł w czasopiśmie, 2020]
  • TytułEmitter-site specificity of hard x-ray photoelectron Kikuchi-diffraction
    AutorzyO. Fedchenko, A. WINKELMANN, S. Chernov, K. Medjanik, S. Babenkov, S. Y. Agustsson, D. Vasilyev, M. Hoesch, H-J. Elmers, G. Schönhense
    ŹródłoNew Journal of Physics [Dokument elektroniczny]. - Czasopismo elektroniczne. — 2020 vol. 22 iss. 10 art. no. 103002, s. 1–13. — tekst: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1367-2630/abb68b/pdf

  • keywords: silicon, photoemission, photoelectron diffraction, interstitial sites, substitutional sites, time of flight momentum microscopy

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1088/1367-2630/abb68b

7
8
9
  • [artykuł w czasopiśmie, 2020]
  • TytułRefined calibration model for improving the orientation precision of electron backscatter diffraction maps
    AutorzyAimo WINKELMANN, Gert Nolze, Grzegorz CIOS, Tomasz TOKARSKI, Piotr BAŁA
    ŹródłoMaterials [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne. — 2020 vol. 13 iss. 12 art. no. 2816, s. 1–20. — tekst: https://www.mdpi.com/1996-1944/13/12/2816/pdf

  • keywords: scanning electron microscopy, electron backscatter diffraction, Kikuchi diffraction, projection center, orientation precision

    Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Tomasz Tokarski, Piotr Bała, Grzegorz Cios

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.3390/ma13122816

10
  • [referat w czasopiśmie, 2020]
  • TytułStructural and luminescence imaging and characterisation of semiconductors in the scanning electron microscope
    AutorzyC. Trager-Cowan, A. Alasmari, W. Avis, J. Bruckbauer, P. R. Edwards, G. Ferenczi, B. Hourahine, A. Kotzai, S. Kraeusel, G. Kusch, R. W. Martin, R. McDermott, G. Naresh-Kumar, M. Nouf-Allehiani, E. Pascal, D. Thomson, S. Vespucci, M. D. Smith, P. J. Parbrook, J. Enslin, F. Mehnke, C. Kuhn, T. Wernicke, M. Kneissl, S. Hagedorn, A. Knauer, S. Walde, M. Weyers, P-M. Coulon, P. A. Shields, J. Bai, Y Gong, L. Jiu, Y. Zhang, R. M. Smith, T. Wang, A. WINKELMANN
    ŹródłoSemiconductor Science and Technology. — 2020 vol. 35 no. 5 art. no. 054001, s. 1–15. — tekst: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab75a5/pdf

  • keywords: SEM, EBSD, CL, ECCI, nitride, extended defects

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1088/1361-6641/ab75a5