Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Kmon, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej
WEAIiIB-kmie, Katedra Metrologii i Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-2588-6763 połącz konto z ORCID

ResearcherID: ABG-9774-2020

Scopus: 25649354500

PBN: 5e70922b878c28a04739115c

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • [referat, 2015]
  • Tytuł32k channels readout IC for single photon counting detectors with 75 $mu$ pitch, ENC of 123 $e^{-}$ rms, 9$e^{-}$ rms offset spread and 2% rms gain spread
    AutorzyP. GRYBOŚ, P. KMON, P. MAJ, R. SZCZYGIEŁ
    ŹródłoBioCAS 2015 [Dokument elektroniczny] : 11 textsuperscript{th} annual IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference : engineering for healthy minds and able bodies : Atlanta, USA, October 22–24, 2015 : proceedings. — Piscataway : IEEE, cop. 2015. — S. 612–615
  • keywords: pixel detectors, X-ray imaging, matching

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

2
3
4
  • [artykuł w czasopiśmie, 2015]
  • TytułResults of tests of three-dimensionally integrated chips bonded to sensors
    AutorzyGrzegorz W. Deptuch, Gabriella Carini, Terence Collier, Paweł GRYBOŚ, Piotr KMON, Ronald Lipton, Piotr MAJ, David P. Siddons, Robert SZCZYGIEŁ, Raymond Yarema
    ŹródłoIEEE Transactions on Nuclear Science. — 2015 vol. 62 no. 1, s. 349–358. — tekst: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7027258
  • keywords: wafer bonding, Active Pixel Sensor, mixed analog digital integrated circuits, X-ray detectors, semiconductor radiation detectors, bonding processes, three dimensional integrated circuits, through-silicon vias

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1109/TNS.2014.2378784