Wykaz publikacji wybranego autora

Jarosław Kanak, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-0871-7095 orcid iD

ResearcherID: N-4668-2015

Scopus: 8852353900

PBN: 5e70922b878c28a047391150

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
  • Buffer influence on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
2
3
  • Influence of different buffers on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
4
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
5
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
6
  • Magnetic dead layers, magnetic anisotropy and Gilbert damping coefficient in $Co_{40}Fe_{40}B_{20}$ deposited on Ta/Ru/Ta
7
  • Magnetic properties and magnetization dynamics of magnetic tunnel junctions bottom electrode with different buffer layers
8
  • Magnetic properties and magnetization dynamics of magnetic tunnel junctions bottom electrode with different buffer layers
9
  • Magnetic properties, structural analysis and magnetization dynamics of $CoFeB/MgO$ with different buffer layers
10
  • Magnetization dynamics of CoFeB magnetic tunnel junctions bottom electrode with different buffer layers
11
  • Study of structure and antireflective properties of $LaF_{3}/HfO_{2}/SiO_{2}$ and $LaF_{3}/HfO_{2}/MgF_{2}$ trilayers for UV applications
12
  • The effect of Ta buffer layer on the microstructure, roughness and dead layer of CoFeB/MgO systems