Investigations of high temperature conversion of microcrystalline gallium antimonide GaSb to nanocrystalline gallium nitride GaN / Mariusz DRYGAŚ, Jerzy F. JANIK // W: E-MRS 2012 Fall Meeting [Dokument elektroniczny] : September 17–21, 2012, Warsaw. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Warsaw : s. n.], [2012]. — Dysk Flash. — S. [28]. — Wymagania systemowe: Adobe Acrobat Reader. — Tytuł przejęto ze s. tyt. (po wybraniu opcji: Symposium H)

Modeling porosity of high surface area nanopowders of the gallium nitride GaN semiconductor / Mariusz DRYGAŚ, Jerzy F. JANIK // Materials Chemistry and Physics ; ISSN 0254-0584. — Tytuł poprz.: Materials Chemistry. — 2012 vol. 133 iss. 2–3, s. 932–940. — Bibliogr. s. 939–940, Abstr.. — tekst: http://vls2.icm.edu.pl/cgi-bin/sciserv.pl?collection=elsevier&journal=02540584&issue=v133i2-3&article=932_mpohsaotgngs&form=pdf&file=file.pdf

Reakcje prekursora $Mn(N[Si(CH_{3})_{3}]_{2})_{2}$ z amoniakiem $NH_{3}$ i dimetyloaminą $HN(CH_{3})_{2}$ — [Reactions of the precursor $Mn(N[Si(CH_{3})_{3}]_{2})_{2}$ with ammonia $NH_{3}$ and dimethylamine $HN(CH_{3})_{2}$ / Mariusz DRYGAŚ, Cezary CZOSNEK, Mirosław M. BUĆKO, Jerzy F. JANIK // W: „Chemia dla środowiska i cywilizacji” : 55. Zjazd Polskiego Towarzystwa Chemicznego i Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego : Białystok, 16–20 września 2012 : materiały zjazdowe. — Warszawa : Polskie Towarzystwo Chemiczne, [2012]. — ISBN: 978-83-60988-12-1. — S. 169

Silicon oxycarbide black glasses prepared from the precursor system polydimethylosiloxane/toluene-soluble fraction of coal tar pitch / Cezary CZOSNEK, Mariusz DRYGAŚ, Zbigniew Olejniczak, Patrycja Winiarczyk, Krzysztof Paterak, Jerzy F. JANIK // W: E-MRS 2012 Fall Meeting [Dokument elektroniczny] : September 17–21, 2012, Warsaw. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Warsaw : s. n.], [2012]. — Dysk Flash. — S. [42]. — Wymagania systemowe: Adobe Acrobat Reader. — Tytuł przejęto ze s. tyt. (po wybraniu opcji: Symposium F)

Sposób wytwarzania nanokrystalicznych proszków azotku galu GaN — [Way to prepare nanocrystalline powders of gallium nitride GaN] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: JANIK Jerzy Franciszek, DRYGAŚ Mariusz, BUĆKO Mirosław. — Int.Cl.: C01B 21/06\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL 399900 A1 ; Opubl. 2012-12-03. — Zgłosz. nr P.399900 z dn. 2012-07-11 // Biuletyn Urzędu Patentowego ; ISSN 0137-8015 ; 2012  nr 25, s. 18. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL399900A1.pdf

Sposób wytwarzania spieków azotku galu GaN — [Method of producing sintered galium nitrides GaN] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Warszawa ; wynalazca: Jerzy F. JANIK, Mariusz DRYGAŚ, Cezary CZOSNEK [et al.]. — Int.Cl.: B23P 17/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis patentowy ; PL 210651 B1 ; Udziel. 2011-08-18 ; Opubl. 2012-02-29. — Zgłosz. nr P.378458 z dn. 2005-12-16. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL210651B1.pdf

Transamination reactions of $Mn\{N[Si(CH_{3})_{3}]_{2}\}_{2}$ modeled towards its use as a Mn-dopant in the potential spintronics system with GaN semiconductor / Jerzy F. JANIK, Mariusz DRYGAŚ // W: The 2\textsuperscript{nd} Saudi international nanotechnology conference (2SINC) 2012 : nanotechnology innovation opportunities for the future : November 11–13, 2012, Riyadh, Saudi Arabia. — [Saudi Arabia : s. n.], [2012]. — S. 351–353