Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Wiśniowski, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-7995-7416 orcid iD

ResearcherID: E-3288-2010

Scopus: 24462701800

PBN: 5e70922c878c28a047391227

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
  • [artykuł w czasopiśmie, 2008]
  • Tytuł1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, J. M. Almeida, P. P. Freitas
    ŹródłoIEEE Transactions on Magnetics. — 2008 vol. 44 no. 11, s. 2551–2553. — tekst: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4717649
2
  • [referat, 2013]
  • Tytuł1/f magnetic noise in MgO/CoFeB based sensors with voltage controlled perpendicular anisotropy
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, M. DĄBEK, T. STOBIECKI, S. Cardoso, P. P. Freitas
    ŹródłoMMM 58 [Dokument elektroniczny] : 58textsuperscript{TH} annual conference on Magnetism and magnetic materials : 4–8 November 2013, Denver : abstracts. — [USA : s. n.], [2013]. — S. 255–256
3
  • [artykuł w czasopiśmie, 2021]
  • TytułBias voltage dependence of sensing characteristics in tunneling magnetoresistance sensors
    AutorzyPiotr WIŚNIOWSKI, Maciej Nawrocki, Jerzy Wrona, Susana Cardoso, Paulo P. Freitas
    ŹródłoSensors [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne. — 2021 vol. 21 iss. 7 art. no. 2495, s. 1–9. — tekst: https://www.mdpi.com/1424-8220/21/7/2495/pdf
4
  • [referat, 2022]
  • TytułBias voltage dependence of sensitivity in tunneling magnetoresistance sensors with voltage controlled magnetic anisotropy
    AutorzyŁ. FUŚNIK, P. WIŚNIOWSKI, B. SZAFRANIAK, J. Wrona, S. Cardoso, P. P. Freitas
    ŹródłoJEMS 2022 [Dokument elektroniczny] : the Joint European Magnetic Symposia : 24-29 July 2022, Warsaw, Poland : book of abstracts. — [Grenoble: The European Magnetism Association], [2022]. — S. 422
5
  • [referat, 2016]
  • TytułBroadband microwave detector based on GMR-SV with varying interlayer exchange coupling
    AutorzySławomir ZIĘTEK, Piotr OGRODNIK, Witold SKOWROŃSKI, Maciej CZAPKIEWICZ, Piotr WIŚNIOWSKI, Tomasz STOBIECKI, Józef Barnaś
    ŹródłoMNE 2016 : 42textsuperscript{nd} international conference on Micro and Nano Engineering : September 19–23, 2016, Vienna, Austria : final program. — [Vienna : s. n.], [2016]. — S. 149–150
6
  • [referat, 2019]
  • TytułControlling and modifying sensing properties of tunneling magnetoresistance sensors by voltage controlled magnetic anisotropy
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, M. Nawrocki, M. DĄBEK
    ŹródłoSpintronics XII : SPIE Nanoscience + Engineering : 11–15 August 2019, San Diego, California, United States / eds. Henri-Jean M. Drouhin, [et al.]. — Bellingham : SPIE, cop. 2019. — S. 110903O-1–110903O-6
7
  • [artykuł w czasopiśmie, 2023]
  • TytułDependence of sensitivity, derivative of transfer curve and current on bias voltage magnitude and polarity in tunneling magnetoresistance sensors
    AutorzyŁukasz FUŚNIK, Bartłomiej SZAFRANIAK, Jerzy Wrona, Susana Cardoso, Paulo P. Freitas, Piotr WIŚNIOWSKI
    ŹródłoSensors [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne. — 2023 vol. 23 iss. 3 art. no. 1214, s. 1–11. — tekst: https://www.mdpi.com/1424-8220/23/3/1214/pdf?version=1674212500
8
  • [referat, 2015]
  • TytułDynamic properties of MgO/CoFeB based sensors with perpendicular anisotropy
    AutorzyM. DĄBEK, P. WIŚNIOWSKI
    ŹródłoINTERMAG 2015 [Dokument elektroniczny] : IEEE International Magnetics Conference : May 11–15, 2015, Beijing, China / IEEE. — [Piscataway : IEEE], [2015]. — S. [1–2], poz. BT-10
9
10
  • [referat, 2015]
  • TytułEffect of bias voltage on field detection of CoFeB/MgO/CoFeB sensors with low and high sensitivity
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, M. DĄBEK, T. STOBIECKI, J. Wrona
    ŹródłoINTERMAG 2015 [Dokument elektroniczny] : IEEE International Magnetics Conference : May 11–15, 2015, Beijing, China / IEEE. — [Piscataway : IEEE], [2015]. — S. [1–2], poz. AI-10
11
  • [referat, 2016]
  • TytułEffect of bias voltage on sensitivity-bandwidth product of single and series connected tunneling magnetoresistance sensors
    AutorzyM. DĄBEK, P. WIŚNIOWSKI, T. STOBIECKI, J. Wrona, S. Cardoso, P. P. Freitas
    ŹródłoMMM 2016 [Dokument elektroniczny] : 61textsuperscript{st} annual conference on Magnetism and Magnetic Materials : 31 October – 4 November 2016, New Orleans, Louisiana : abstracts. — [New Orleans : s. n.], [2016]. — S. 86–87
12
  • [artykuł w czasopiśmie, 2009]
  • TytułEffect of buffer layer texture on the crystallization of $CoFeB$ and on the tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions
    AutorzyJ. Cao, J. KANAK, T. STOBIECKI, P. WIŚNIOWSKI, P. P. Freitas
    ŹródłoIEEE Transactions on Magnetics. — 2009 vol. 45 no. 10, s. 3464–3466. — tekst: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5257200
13
14
  • [referat, 2014]
  • TytułEffect of electrode composition on low frequency magnetic noise in MgO/CoFeB sensors with perpendicular anisotropy
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, M. DĄBEK, J. Wrona, T. STOBIECKI, S. Cardoso, P. Freitas
    ŹródłoMMM 2014 [Dokument elektroniczny] : 59textsuperscript{TH} annual conference on Magnetism and Magnetic Materials : 3–7 November 2014, Honolulu, Hawaii : abstracts. — [Hawaii : s. n.], [2014]. — S. 717
15
  • [referat, 2014]
  • TytułEffect of MgO thickness and bias voltage polarity on frequency response of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
    AutorzyM. DĄBEK, P. WIŚNIOWSKI, T. STOBIECKI, S. Cardoso, P. Freitas
    ŹródłoMMM 2014 [Dokument elektroniczny] : 59textsuperscript{TH} annual conference on Magnetism and Magnetic Materials : 3–7 November 2014, Honolulu, Hawaii : abstracts. — [Hawaii : s. n.], [2014]. — S. 184
16
17
  • [referat, 2014]
  • TytułEffect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors
    AutorzyPiotr WIŚNIOWSKI, Michał DĄBEK, Jerzy WRONA, Tomasz STOBIECKI, Susana Cardoso, Paulo Freitas
    ŹródłoINTERMAG Europe 2014 [Dokument elektroniczny] : IEEE International Magnetics Conference : Dresden, Germany, May 4–8, 2014 / IEEE. — [Piscataway : IEEE], [2014]. — S. 1161–1162
18
19
  • [referat, 2012]
  • TytułElectrode band structure effects in thin MgO magnetic tunnel junctions : poster
    AutorzyTeixeira José M., Ventura J., Fernandez-Garcia M. P., Araujo J. P., Sousa J. B., WIŚNIOWSKI P., Freitas P. P.
    ŹródłoINTERMAG 2012 [Dokument elektroniczny] : IEEE International Magnetic Conference : May 7th to 11th 2012, Vancouver / IEEE. — [Piscataway : IEEE], [2012]. — S. [1–3]
20
  • [artykuł w czasopiśmie, 2009]
  • TytułElectroforming, magnetic and resistive switching in $MgO-based$ tunnel junctions
    AutorzyJ. M. Teixeira, J. Ventura, R. Fermento, J. P. Araujo, J. B. Sousa, P. WIŚNIOWSKI, P. P. Freitas
    ŹródłoJournal of Physics. D, Applied Physics. — 2009 vol. 42 iss. 10, s.  105407-1– 105407-4. — tekst: http://iopscience.iop.org/0022-3727/42/10/105407/pdf/d9_10_105407.pdf
21
  • [artykuł w czasopiśmie, 2010]
  • TytułEvidence of spin-polarized direct elastic tunneling and onset of superparamagnetism in MgO magnetic tunnel junctions
    AutorzyJ. M. Teixeira, J. Ventura, J. P. Araujo, J. B. Sousa, M. P. Fernández-García, P. WIŚNIOWSKI, P. P. Freitas
    ŹródłoPhysical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. — 2010 vol. 81, s. 134423-1–134423-8. — tekst: http://journals.aps.org/prb/pdf/10.1103/PhysRevB.81.134423
22
  • [artykuł w czasopiśmie, 2012]
  • TytułExchange biased CoFeB-MgO tunnel junctions at the onset of perpendicular anisotropy with in-plane/out-of-plane sensing capabilities
    AutorzyJ. M. Teixeira, J. Ventura, M. P. Fernández-García, J. P. Araujo, J. B. Sousa, P. WIŚNIOWSKI, D. C . Leitao, P. P. Freitas
    ŹródłoJournal of Applied Physics. — 2012 vol. 111 iss. 5, s. 053930-1–053930-4. — tekst: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/111/5/10.1063/1.3693585
23
  • [referat, 2011]
  • TytułExchange biased CoFeB-MgO tunnel junctions with perpendicular anisotropy : [abstrakt]
    AutorzyJ. M. Teixeira, J. Ventura, D. C. Leitao, J. P. Araujo, J. B. Sousa, P. WIŚNIOWSKI, P. P. Freitas
    ŹródłoINTERMAG 2011 [Dokument elektroniczny] : IEEE International Magnetics Conference : April 25–29, 2011, Taipei, Taiwan / IEEE Magnetics Society. — [Piscataway : IEEE], [2011]. — S. [1]
24
  • [referat, 2011]
  • TytułExchange biased magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes for in-plane and out-of-plane magnetic field sensing
    AutorzyP. WIŚNIOWSKI, J. WRONA, W. SKOWROŃSKI, T. STOBIECKI, S. Cardoso, P. P. Freitas
    ŹródłoThe 1st CSIS international symposium on Spintronics-based VLSIs and the 7th RIEC international workshop on Spintronics : February 3rd and 4th, 2011, Sendai, Japan / Tohoku University. — [Sendai : TU], [2011]. — S. 34
25