Wykaz publikacji wybranego autora

Zbigniew Mitura, dr hab. inż., prof. AGH

Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej
WIMiIP-kism, Katedra Informatyki Stosowanej i Modelowania

2018
[dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / inżynieria materiałowa

Identyfikatory Autora	Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych
ORCID: 0000-0003-0194-7231 połącz konto z ORCID ResearcherID: S-4916-2016 Scopus: 55924179900 PBN: 5e70920b878c28a04738f0e3	OPI Nauka Polska System Informacyjny AGH (SkOs)

Identyfikatory Autora

Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0003-0194-7231 połącz konto z ORCID

ResearcherID: S-4916-2016

Scopus: 55924179900

PBN: 5e70920b878c28a04738f0e3

wydruk:

sortowanie:

1

Algorithms for determining the phase of RHEED oscillations
Algorithms for determining the phase of RHEED oscillations / Zbigniew MITURA, Sergei L. Dudarev // Journal of Applied Crystallography ; ISSN 0021-8898. — 2015 vol. 48 iss. 6, s. 1927–1934. — Bibliogr. s. 1934. — Publikacja dostępna online od: 2015-11-28. — tekst: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S1600576715020415/pdf

2

Calculations of RHEED and RHEPD rocking curves for growing surfaces of germanium
Calculations of RHEED and RHEPD rocking curves for growing surfaces of germanium / Z. MITURA // W: XXIII CAC 2015 : Conference on Applied Crystallography : 20–24 September 2015, Krynica-Zdrój, Poland : programme & abstracts. — [Krynica-Zdrój : s. n.], [2015]. — S. 266. — Bibliogr. s. 266

3

Computations of RHEED intensities for growing surfaces of GaAs
Computations of RHEED intensities for growing surfaces of GaAs — Obliczenia natężeń wiązki elektronów odbitych zwierciadlanie od wzrastających powierzchni, dla arsenku galu / Zbigniew MITURA // Computer Methods in Materials Science : quarterly / Akademia Górniczo-Hutnicza ; ISSN 2720-4081. — Tytuł poprz.: Informatyka w Technologii Materiałów ; ISSN: 1641-3948. — 2015 vol. 15 no. 4, s. 447–458. — Bibliogr. s. 457–458, Abstr., Streszcz.

4

Theoretical analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and reflection high-energy positron diffraction (RHEPD) intensity oscillations expected for the perfect layer-by-layer growth
Theoretical analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and reflection high-energy positron diffraction (RHEPD) intensity oscillations expected for the perfect layer-by-layer growth / Zbigniew MITURA // Acta Crystallographica. Section A, Foundations and Advances [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2053-2733. — 2015 vol. 71 iss. 5, s. 513–518. — Bibliogr. s. 517–518. — tekst: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S2053273315010608/epdf