Wykaz publikacji wybranego autora

Jerzy Franciszek Janik, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Wydział Energetyki i Paliw
WEiP-ktp, Katedra Technologii Paliw


  • 2021

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria chemiczna


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria chemiczna


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / technologia chemiczna


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0003-0145-6475 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 35555595900

PBN: 5e70922c878c28a047391259

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Are nanocrystalline powders two-phase materials: predictions and experimental evidence
2
  • Atomic structure of nanocrystals and in situ synthesis X-ray studies of nanocomposites
3
  • Badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD materiałów węglowych otrzymanych na drodze pirolizy paku modyfikowanego różnymi dodatkami krzemowymi
4
  • Determination of a two-phase structure of nanocrystals: GaN, SiC, Diamond
5
  • Dislocation induced polytype transformation of GaN nanocrystals under extreme pressures
6
  • Distribution of strain in GaN and SiC nanocrystals under extreme pressures
7
  • Distribution of strain in GaN and SiC nanocrystals under extreme pressures
8
  • Generation and relaxation of strain in GaN and SiC nanocrystals under extreme pressures
9
  • Generation of strain in GaN nanocrystals under extreme pressures
10
  • Obserwacje mikroskopowe przebiegu topnienia paków w warunkach wzrastającej temperatury
11
  • Ocena stopnia jednorodności mieszanin paku węglowego i krzemionki
12
  • Porównanie reaktywności oznaczanej metodą genewską koksu mokro i sucho chłodzonego
13
  • Preparation of phase pure cubic gallium nitride, $c-GaN$, by ammonothermal conversion of gallium imide, ${Ga(NH)_{3/2}}_{n}$
14
  • Surface relaxation in nanocrystalline powders of $GaN$ as measured by X-ray diffraction
15
  • Surface strain in nanocrystalline ${GaN}$ and ${SiC}$; X-ray diffraction study