Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stobiecki, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (50%)


  • 2020

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-7380-2897 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 7004809636

PBN: 5e70922c878c28a0473911f7

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • [referat, 2020]
  • TytułCurrent-induced magnetization switching of exchange-biased NiO heterostructures characterized by spin-orbit torque
    AutorzyKrzysztof GROCHOT, Łukasz Karwacki, Stanisław ŁAZARSKI, Witold SKOWROŃSKI, Jarosław KANAK, Wiesław POWROŹNIK, Piotr Kuświk, Mateusz Kowacz, Feliks Stobiecki, Tomasz STOBIECKI
    ŹródłoJEMS 2020 [Dokument elektroniczny] : the Joint European Magnetic Symposia : 7–11 December 2020, virtual : book of abstracts / The European Magnetism Association. — [Europe : s. n.], [2020]. — S. [318], no. 3903
  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

2
3
4
5
  • [zgłoszenie patentowe, 2020]
  • TytułSposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci
    InventorAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: RZESZUT Piotr, SKOWROŃSKI Witold, ZIĘTEK Sławomir, STOBIECKI Tomasz
    DetailsInt.Cl.: G11C 11/00textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL 427097 A1 ; Opubl. 2020-03-23. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17 // Biuletyn Urzędu Patentowego ; 2020  nr 7, s. 49. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL427097A1.pdf
  • słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

    keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

    cyfrowy identyfikator dokumentu: