Wykaz publikacji wybranego autora

Sławomir Ziętek, dr inż.

adiunkt

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-6699-7155 połącz konto z ORCID

ResearcherID: brak

Scopus: 56495056200

PBN: 5e70938f878c28a0473acd1c

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Sposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci[Method of producing active multi-level memory structure and the multi-level memory structure] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: RZESZUT Piotr, SKOWROŃSKI Witold, ZIĘTEK Sławomir, STOBIECKI Tomasz. — Int.Cl.: G11C 11/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL 427097 A1 ; Opubl. 2020-03-23. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17 // Biuletyn Urzędu Patentowego ; ISSN 0137-8015 ; 2020  nr 7, s. 49. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL427097A1.pdf

  • słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

    keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

2
  • Sposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci[Method of producing active multi-level memory structure and the multi-level memory structure] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: Piotr RZESZUT, Witold SKOWROŃSKI, Sławomir ZIĘTEK, Tomasz STOBIECKI. — Int.Cl.: G11C 11/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis patentowy ; PL 235585 B1 ; Udziel. 2020-04-06 ; Opubl. 2020-09-07. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL235585B1.pdf

  • słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

    keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

    cyfrowy identyfikator dokumentu: