Wykaz publikacji wybranego autora

Agnieszka Podborska, dr

adiunkt

Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii
ACMIN-zfep, Zakład Fotofizyki i Elektrochemii Półprzewodników


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki chemiczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk ścisłych / dziedzina nauk chemicznych / chemia


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-1233-7300 orcid iD

ResearcherID: ABD-4384-2020

Scopus: 26647026700

PBN: 5e7093ac878c28a0473aed65

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Bivalent and trivalent logic operations realised in optoelectronic devices based on new hybrid materials
2
  • Effect of synthesis conditions on the structure of graphene oxide surface
3
  • Hybrid materials based on wide band gap semiconductors as starting materials for the construction of artificial neurons
4
  • Hybrid semiconducting materials: from binary logic to neuromorphic computing
5
  • Information processing in optoelectronic devices based on modified wide-bandgap semiconductors
6
  • Logic gates based on graphene oxide-semiconductor hybrid materials
7
  • Nowa metoda otrzymywania zredukowanego tlenku grafenu w postaci stabilnej zawiesiny w wodzie
8
  • Photochemical properties of new hybrid materials to optoelectronic applications: $TiO_{2}-indophenol$ derivatives
9
  • Photoelectrochemical information processing: from binary logic to Hebbian learning and synaptic plasticity
10
  • Photoelectrochemical properties of graphene oxide modified CdS systems with the potential application in optoelectronics
11
  • Structural and photoelectrochemical properties of hybrid nanocomposites based on MWCNTs and cadmium sulfide
12
  • Tailoring electron trapping/detrapping processes as a convenient method for tuning of semiconductors photoelectrochemical properties
13
  • Właściwości fotoelektrochemiczne tlenku grafenu modyfikowanego pochodnymi chinonów w kontekście zastosowań w optoelektronice
14
  • Wpływ warunków syntezy na odległości między płaszczyznowe w tlenku grafenu