Wykaz publikacji wybranego autora

Witold Skowroński, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-4568-2688 orcid iD

ResearcherID: C-2235-2013

Scopus: 36549232400

PBN: 5e7093ed878c28a0473b3692

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
2
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
3
  • Conductance study of magnetic tunnel junctions with an ultrathin MgO barrier
4
  • Exchange biased magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes for in-plane and out-of-plane magnetic field sensing
5
6
  • Influence of interlayer exchange coupling on switching of CoFeB/MgO/CoFeB pseudo spin-valves with perpendicular anisotropy
7
  • Magnetic field sensing properties of tunnel magnetoresistance devices with perpendicular anisotropy
8
  • Magnetic tunnel junctions with synthetic antiferromagnet free layer
9
  • Microwave emission from spin torque oscillators based on asymmetric magnetic tunnel junctions
10
  • Model of conductance in magnetic tunnel junctions with ultrathin MgO barrier
11
  • Nanoscale magnetic field mapping with a single spin scanning probe magnetometer
12
  • Preparation and characterization of magnetic tunnel junctions for the STT-RAM and ST-oscillators application
13
  • Spin transfer torque in TMR and GMR nanostructures for spintronic devices
14
  • Spin transfer torque in TMR nanostructures for spintronic devices
15
  • Spin-transfer-torque dependence on MgO tunnel barrier thickness in MTJs
16
  • Spin-transfer-torque dependence on MgO tunnel barrier thickness in MTJs