Wykaz publikacji wybranego autora

Witold Skowroński, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Katedra Elektroniki

[dyscyplina wiodąca] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

[dyscyplina dodatkowa] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-4568-2688

ResearcherID: C-2235-2013

Scopus: 36549232400

PBN: 3928588

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
2
  • [referat, 2010]
  • TytułOptimum tunnel barrier thickness for spin torque memory devices : [abstract]
    AutorzySantiago Serrano-Guisan, W. SKOWROŃSKI, N. Liebling, J. WRONA, M. CZAPKIEWICZ, T. STOBIECKI, J. Langer, B. Ocker, G. Reiss, H. W. Schumacher
    ŹródłoDPG Spring Meeting [Dokument elektroniczny] : combined DPG Spring Meeting of the Section Condensed Matter (SKM), the divisions Crystallography (KR), Radiation and Medical Physics (ST), Physics of Socio-economic Systems (SOE) and the Working Group on Industry and Business (AIW) : Rogensburg, 21textsuperscript{st} – 26textsuperscript{th} March 2010. — [Rogensburg : s. n.], [2010]. — S. [1]
3
  • [referat w czasopiśmie, 2010]
  • TytułReduction of critical current in magnetic tunnel junctions with ${CoFeB/Ru/CoFeB}$ synthetic free layer
    AutorzyA. ZALESKI, W. SKOWROŃSKI, M. CZAPKIEWICZ, J. KANAK, T. STOBIECKI, R. Macedo, S. Cardoso, P. P. Freitas
    ŹródłoJournal of Physics. Conference Series. — 2010 vol. 200 article no.: UNSP 052035, s. 1–4. — tekst: http://iopscience.iop.org/1742-6596/200/5/052035/pdf/1742-6596_200_5_052035.pdf