Wykaz publikacji wybranego autora

Witold Skowroński, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-4568-2688 orcid iD

ResearcherID: C-2235-2013

Scopus: 36549232400

PBN: 5e7093ed878c28a0473b3692

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
2
  • Optimum tunnel barrier thickness for spin torque memory devices : [abstract] / Santiago Serrano-Guisan, W. SKOWROŃSKI, N. Liebling, J. WRONA, M. CZAPKIEWICZ, T. STOBIECKI, J. Langer, B. Ocker, G. Reiss, H. W. Schumacher // W: DPG Spring Meeting [Dokument elektroniczny] : combined DPG Spring Meeting of the Section Condensed Matter (SKM), the divisions Crystallography (KR), Radiation and Medical Physics (ST), Physics of Socio-economic Systems (SOE) and the Working Group on Industry and Business (AIW) : Rogensburg, 21\textsuperscript{st} – 26\textsuperscript{th} March 2010. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Rogensburg : s. n.], [2010]. — S. [1]. — Wymagania systemowe: Adobe Acrobat Reader. — Tryb dostępu: http://regensburg10.dpg-tagungen.de/programm/abendvortraege.html?lang=en [2011-01-03]

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

3