Wykaz publikacji wybranego autora

Witold Skowroński, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (50%)

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-4568-2688 orcid iD

ResearcherID: C-2235-2013

Scopus: 36549232400

PBN: 5e7093ed878c28a0473b3692

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)

1

  • Current-induced magnetization switching of exchange-biased NiO heterostructures characterized by spin-orbit torque / Krzysztof GROCHOT, Łukasz Karwacki, Stanisław ŁAZARSKI, Witold SKOWROŃSKI, Jarosław KANAK, Wiesław POWROŹNIK, Piotr Kuświk, Mateusz Kowacz, Feliks Stobiecki, Tomasz STOBIECKI // W: JEMS 2020 [Dokument elektroniczny] : the Joint European Magnetic Symposia : 7–11 December 2020, virtual : book of abstracts / The European Magnetism Association. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Europe : s. n.], [2020]. — S. [318], no. 3903. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Tryb dostępu: https://www.jems2020.com/images/Congresso/book-of-abstracts/Book_of_abstracts-09122020.pdf [2021-01-12]. — Bibliogr. s. [318]. — Ł. Karwacki – afiliacja: Institute of Molecular Physics Polish Academy of Sciences

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

2
3
4
5

  • Optimization of spin Hall magnetoresistance in heavy-metal/ferromagnetic-metal bilayers / Łukasz KARWACKI, Krzysztof GROCHOT, Stanisław ŁAZARSKI, Witold SKOWROŃSKI, Jarosław KANAK, Wiesław POWROŹNIK, Józef Barnaś, Feliks Stobiecki, Tomasz STOBIECKI // Scientific Reports [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2045-2322. — 2020 vol. 10 art. no. 10767, s. [1-8]. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. [7-8]. — Publikacja dostępna online od: 2020-07-01. - Supplementary Information: {https://static-content.springer.com/esm/art%3A10.1038%2Fs41598-020-67450-3/MediaObjects/41598_2020_67450_MOESM1_ESM.pdf}. — Ł. Karwacki - dod. afiliacja: Polish Academy of Sciences ; K. Grochot, T. Stobiecki - dod. afiliacja: Department of Electronics, AGH University of Science and Technology, Kraków. — tekst: https://www.nature.com/articles/s41598-020-67450-3.pdf

    orcid iD

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1038/s41598-020-67450-3

6
7

  • Sposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci — [Method of producing active multi-level memory structure and the multi-level memory structure] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: RZESZUT Piotr, SKOWROŃSKI Witold, ZIĘTEK Sławomir, STOBIECKI Tomasz. — Int.Cl.: G11C 11/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL 427097 A1 ; Opubl. 2020-03-23. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17 // Biuletyn Urzędu Patentowego ; ISSN 0137-8015 ; 2020  nr 7, s. 49. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL427097A1.pdf

  • słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

    keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

    Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Tomasz Stobiecki, Sławomir Ziętek, Piotr Rzeszut

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

8

  • Sposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci — [Method of producing active multi-level memory structure and the multi-level memory structure] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: Piotr RZESZUT, Witold SKOWROŃSKI, Sławomir ZIĘTEK, Tomasz STOBIECKI. — Int.Cl.: G11C 11/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis patentowy ; PL 235585 B1 ; Udziel. 2020-04-06 ; Opubl. 2020-09-07. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL235585B1.pdf

  • słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

    keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

    Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Tomasz Stobiecki, Sławomir Ziętek, Piotr Rzeszut

    cyfrowy identyfikator dokumentu: