Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Wiśniowski, dr hab. inż.

adiunkt

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Katedra Elektroniki

[dyscyplina wiodąca] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-7995-7416

ResearcherID: E-3288-2010

Scopus: 24462701800

PBN: 909900

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




Opisy publikacji wcześniejszych zobacz: bpp.agh.edu.pl/old.


Liczba pozycji spełniających powyższe kryteria selekcji: 80, z ogólnej liczby 100 publikacji Autora


1
  • 1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions
2
  • 1/f magnetic noise in MgO/CoFeB based sensors with voltage controlled perpendicular anisotropy
3
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
4
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
5
  • Bottom type MTJ – magnetization switching properties and domain structure
6
  • Broadband microwave detector based on GMR-SV with varying interlayer exchange coupling
7
  • Cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania
8
9
  • Co nowego w spintronice?
10
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
11
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
12
  • Dynamic properties of MgO/CoFeB based sensors with perpendicular anisotropy
13
14
  • Effect of bias voltage on field detection of CoFeB/MgO/CoFeB sensors with low and high sensitivity
15
  • Effect of bias voltage on sensitivity-bandwidth product of single and series connected tunneling magnetoresistance sensors
16
  • Effect of buffer layer texture on the crystallization of $CoFeB$ and on the tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions
17
  • Effect of $CoFeB$ electrode compositions on low frequency magnetic noise in tunneling magnetoresistance sensors
18
  • Effect of electrode composition on low frequency magnetic noise in MgO/CoFeB sensors with perpendicular anisotropy
19
  • Effect of MgO thickness and bias voltage polarity on frequency response of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
20
21
  • Effect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors
22
23
  • Electrode band structure effects in thin MgO magnetic tunnel junctions
24
  • Electroforming, magnetic and resistive switching in $MgO-based$ tunnel junctions
25
  • Elektronika spinowa