Wykaz publikacji wybranego autora

Jerzy Wrona, dr inż.

adiunkt

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, *Katedra Elektroniki


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: brak

ResearcherID: brak

Scopus: brak

OPI Nauka Polska



Statystyka obejmuje publikacje afiliowane AGH od 2008 roku włącznie

typ publikacji
rocznikl. publ.książkifragm.referatyartykułypatentymapyred. czas.inne
ogółem11017237
201611
20151394
2014761
2013532
20129153
201114131
2010972
2009871
200811
2007312
200644
200511
20041138
2003422
2002211
200122
2000954
1999743
język publikacji
rocznikrazempolskojęzyczneanglojęzycznepozostałe języki
ogółem1101496
201611
20151313
2014716
2013514
2012918
20111414
2010927
2009826
200811
2007312
200644
200511
20041111
200344
2002211
2001211
2000927
1999725
kraj wydania
rocznikrazempubl. krajowepubl. zagraniczne
ogółem1105555
201611
20151349
2014734
2013523
2012918
201114104
2010963
2009853
200811
2007321
2006422
200511
20041165
2003413
200222
2001211
2000972
1999725
Lista Filadelfijska
rocznikrazempubl. z LFpubl. pozostałe
ogółem1102288
201611
20151349
2014716
2013523
2012936
201114113
2010918
200988
200811
2007312
200644
200511
20041138
200344
200222
200122
2000927
1999734
punktacja MNiSW
rocznikrazempubl. z pkt. MNiSWpubl. pozostałe
ogółem1101892
201611
20151349
2014716
2013523
2012945
201114113
2010927
2009817
200811
2007312
200644
200511
20041111
200344
200222
200122
2000918
199977
publikacje recenzowane
rocznikrazempubl. recenzowanepubl. nierecenzowane
ogółem1103773
201611
20151376
2014716
2013523
2012945
201114113
2010927
2009817
200811
2007312
200644
200511
20041156
2003422
2002211
200122
2000945
1999734



1
  • Analiza wpływu warstw buforowych na szorstkość i własności magnetyczne złącz tunelowych z użyciem mikroskopii AFM oraz MFM
2
  • Application of spin transfer torque in magnetic tunnel junction
3
  • Backhopping effect in magnetic tunnel junctions: comparison between theory and experiment
4
  • Bottom type MTJ – magnetization switching properties and domain structure
5
6
  • Co nowego w spintronice?
7
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
8
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
9
  • CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
10
  • Conductance study of magnetic tunnel junctions with an ultrathin MgO barrier
11
  • Correlation between microstructure and exchange coupling parameters of $Ir-Mn$ based MTJ
12
  • Correlation between structure and exchange coupling parameters of $IrMn$ based MTJ
13
  • Correlation between structure and exchange coupling parameters of $IrMn$ based MTJ
14
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
15
  • Depth profiling of multilayers for spintronics and plastic electronics
16
  • Effect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors
17
  • Electric-field-induced ferromagnetic resonance in magnetic tunnel junctions
18
  • Elektronika spinowa
19
  • Exchange bias coupling in $IrMn/Cu/CoFe$ trilayers deposited on different buffers
20
  • Exchange bias energy in $(Pt/Co)/Pt/IrMn$ multilayers with perpendicular or in-plane anisotropy
21
  • Exchange bias magnetic tunnel junctions with MgO wedge barrier: microstructure and spin transfer torque
22
  • Exchange biased magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes for in-plane and out-of-plane magnetic field sensing
23
24
  • Influence of different buffers on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
25
  • Influence of interlayer exchange coupling on switching of CoFeB/MgO/CoFeB pseudo spin-valves with perpendicular anisotropy