Wykaz publikacji wybranego autora

Stanisława Kluska, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
WIMiC-kfmp, Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów


  • 2020

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria chemiczna (25%)


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / inżynieria materiałowa


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-1676-6639 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 6506547400

PBN: 5e70920b878c28a04738efc6

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Influence of the SiNx:H layer deposited by PECVD technique on the surface and grain boundary passivation of mc-Si / Stanisława KLUSKA, Piotr Panek // Microelectronics International ; ISSN 1356-5362. — 2016 vol. 33 iss. 3, s. 162–166. — Bibliogr. s. 165–166, Abstr.. — 39th International-Microelectronics-and-Packaging-Society Poland International Conference (IMAPS Poland)

  • keywords: thick/thin film technology, PECVD, hydrogenated silicon nitride, passivation effect, multi-crystalline silicon, mc-Si

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1108/MI-03-2016-0026

2
  • Optical properties and passivation effects of silicon nitride three layer stacks deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition / S. KLUSKA, K. Hejduk, K. Drabczyk, M. Lipiński // Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science ; ISSN 1862-6300. — Tytuł poprz.: Physica Status Solidi. A, Applied Research ; ISSN: 0031-8965. — 2016 vol. 213 no. 7, s. 1839–1847. — Bibliogr. s. 1847. — Publikacja dostępna online od: 2016-05-03. — 26th International Conference of Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors : Aachen, Germany, 2015. — tekst: https://goo.gl/pRBHH4

  • keywords: multi-layers, optical properties, silicon nitride, antireflection coatings, passivation, plasma enhanced chemical vapor deposition

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1002/pssa.201532952

3