High temperature chemical and physical changes of the HVPE-preparated GaN semiconductor / Mariusz DRYGAŚ, Mirosław M. BUĆKO, Zbigniew Olejniczak, Izabella Grzegory, Jerzy F. JANIK // Materials Chemistry and Physics ; ISSN 0254-0584. — Tytuł poprz.: Materials Chemistry. — 2010 vol. 122 iss. 2–3, s. 537–543. — Bibliogr. s. 542–543, Abstr.. — tekst: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S025405841000249X/pdfft?md5=49088e2c494abcc94935511e4a3d5ab7&pid=1-s2.0-S025405841000249X-main.pdf

Kontrolowanie składu nanokompozytów $C/SiC$ otrzymywanych metodą aerozolową — [Controlling the composition of the $C/SiC$ nanocomposites prepared with the aerosol-assisted method] / Cezary CZOSNEK, Bartosz HANDKE, Jerzy F. JANIK // Chemik : nauka-technika-rynek ; ISSN 0009-2886. — 2010 [nr] 9 Suppl., s. 282, S10_P4. — „Życie to chemia” : 53. zjazd PTChem SITPChem : Gliwice, 14–18. IX. 2010 : materiały zjazdowe. — Gliwice : Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem, 2010. — Opis częśc. wg okł.

Sposób wytwarzania proszkowego azotku galu GaN i jego kompozytów typu GaN/MN o wysokiej powierzchni właściwej - proszków wysokoporowatych — [Method of manufacturing powdered GaN gallium nitride and its composites of GaN/MN type with large specific surface area - powders with high porosity] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: JANIK Jerzy F., CZEPIRSKI Leszek, Wells Richard L., DRYGAŚ Mariusz. — Int.Cl.: C01B 21/06\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL 390321 A1 ; Opubl. 2010-08-16. — Zgłosz. nr P.390321 z dn. 2010-02-01 // Biuletyn Urzędu Patentowego ; ISSN 0137-8015 ; 2010  nr 17, s. 7. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL390321A1.pdf