Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stobiecki, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Faculty of Computer Science, Electronics and Telecommunications
WIEiT-ke


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (50%)


  • 2020

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-7380-2897 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 7004809636

PBN: 5e70922c878c28a0473911f7

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Analiza lokalnych prądów tunelowych w magnetycznym złączu tunelowym z wykorzystaniem mikroskopu C-AFM
2
  • Broadband microwave detector based on GMR-SV with varying interlayer exchange coupling
3
  • Efekt spinowo-diodowy w magnetycznych złączach tunelowych – nanodetektory sygnałów mikrofalowych
4
  • Effect of bias voltage on sensitivity-bandwidth product of single and series connected tunneling magnetoresistance sensors
5
  • Effect of magnetic field inhomogeneities on spin-torque-based magnetic field sensor
6
  • Electric-field tunable spin diode FMR in a PMN-PT/NiFe magnetoresistance device
7
  • Electric-field tunable spin diode FMR in patterned PMN-PT/NiFe structures
8
  • Magnetization dynamics of NiFe film and anisotropic magnetoresistance device: comparison of microwave detection methods
9
  • Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
10
  • Micromagnetic analysis of voltage-driven dynamics in maagnetic tunnel junctions: spin-diode effect and pulse-induced switching
11
  • Micromagnetic analysis of voltage-driven dynamics in thin ferromagnetic layer systems
12
  • Microwave detection based on magnetoresistance effect in spintronic devices
13
  • Sensitivity and 3 dB bandwidth in single and series-connected tunneling magnetoresistive sensors
14
  • Spin orbit torques in perpendicularly magnetized CoFeB on W buffer
15
  • Spin-torque oscillator behaviour in highly non-uniform magnetic fields
16
  • Suppression of magnetic noise in MgO/CoFeB based sensors by voltage controlled magnetic anisotropy
17
  • Temperature and underlayer thickness dependence of spin hall effect in Ta/CoFeB/MgO
18
  • Temperature dependence of spin-orbit torques in W/CoFeB bilayers
19
  • Temperature dependence of spin-orbit torques in W/CoFeB bilayers
20
  • Temperature study of spin Hall effect in Ta/CoFeB/MgO
21
  • Temperature study of spin Hall effect in Ta/CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy
22
  • Voltage-induced spin-diode effect in magnetic tunnel junctions with in-plane and perpendicular effective anisotropy