Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stobiecki, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (50%)


  • 2020

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-7380-2897 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 7004809636

PBN: 5e70922c878c28a0473911f7

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Analiza wpływu warstw buforowych na szorstkość i własności magnetyczne złącz tunelowych z użyciem mikroskopii AFM oraz MFM
2
  • Backhopping in magnetic tunnel junctions – micromagnetic approach and experiment
3
  • Badania struktury domenowej w układach multiferroicznych
4
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
5
  • Effect of electrode composition on low frequency magnetic noise in MgO/CoFeB sensors with perpendicular anisotropy
6
  • Effect of MgO thickness and bias voltage polarity on frequency response of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
7
  • Effect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors
8
  • Giant tunneling electroresistance in symmetric all-oxide ferroelectric tunnel junctions
9
  • Giant tunneling electroresistance in symmetric all-oxide ferroelectric tunnel junctions
10
  • In-plane spin transfer torque in magnetic tunnel junctions with thick MgO tunnel barriers
11
  • Magnetic field sensor based on magnetic tunnel junction with voltage tunable magnetic anisotropy
12
  • Magnetic Tunnel Junctions for spintronics applications
13
14
  • Noise and magnetic field detection of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
15
  • Properties of Cu/chromium-nickel steel multilayers made by PVD methods
16
  • Przegląd badań AFM/MFM nanoelementów elektroniki spinowej
17
  • Reduction of low frequency magnetic noise by voltage-induced magnetic anisotropy modulation in tunneling magnetoresistance sensors
18
  • Spin-torque diode radio-frequency detector with voltage tuned resonance
19
  • Structure and magnetic properties of magnetic tunnel junctions with Ta/CuN/Ta and Ta/Ru/Ta buffer layers
20
  • The structural and magnetic analysis of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with Ta/CuN/Ta/CuN/Ta and Ta/Ru/Ta buffers
21
  • Towards wafer scale inductive determination of magnetostatic, dynamic and spin torque material parameters of magnetic thin films and multilayers
22
  • Voltage control of ferromagnetic resonance in permalloy stripes on piezoelectric substrates