Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stobiecki, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (50%)


  • 2020

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

    [dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika (50%)


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-7380-2897 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 7004809636

PBN: 5e70922c878c28a0473911f7

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
2
  • ${Co_{40}Fe_{40}B_{20}/MgO/Co_{40}Fe_{40}B_{20}}$ double wedge magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy
3
  • Conductance study of magnetic tunnel junctions with an ultrathin MgO barrier
4
  • Exchange biased magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes for in-plane and out-of-plane magnetic field sensing
5
  • Influence of interlayer exchange coupling on switching of CoFeB/MgO/CoFeB pseudo spin-valves with perpendicular anisotropy
6
  • Magnetic field sensing properties of tunnel magnetoresistance devices with perpendicular anisotropy
7
  • Magnetic tunnel junctions with synthetic antiferromagnet free layer
8
  • Microwave emission from spin torque oscillators based on asymmetric magnetic tunnel junctions
9
  • Model of conductance in magnetic tunnel junctions with ultrathin MgO barrier
10
  • Nanoscale magnetic field mapping with a single spin scanning probe magnetometer
11
  • Preparation and characterization of magnetic tunnel junctions for the STT-RAM and ST-oscillators application
12
  • Spin transfer torque in TMR and GMR nanostructures for spintronic devices
13
  • Spin transfer torque in TMR nanostructures for spintronic devices
14
  • Spin-transfer-torque dependence on MgO tunnel barrier thickness in MTJs
15
  • Spin-transfer-torque dependence on MgO tunnel barrier thickness in MTJs