Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stobiecki, prof. dr hab.

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

2023
[dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

[dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (50%)
2020
[dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

[dyscyplina 2] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika (50%)
2018
[dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora	Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych
ORCID: 0000-0001-7380-2897 ResearcherID: brak Scopus: 7004809636 PBN: 5e70922c878c28a0473911f7	OPI Nauka Polska System Informacyjny AGH (SkOs)

Identyfikatory Autora

Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-7380-2897 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 7004809636

PBN: 5e70922c878c28a0473911f7

sortowanie:

1

Laser-induced magnetization precession parameters dependence on Pt spacer layer thickness in mixed magnetic anisotropies Co/Pt/Co trilayer / Adam Bonda, Stanisław Uba, Luba Uba, Witold SKOWROŃSKI, Tomasz STOBIECKI, Feliks Stobiecki // Journal of Magnetism and Magnetic Materials ; ISSN 0304-8853. — 2020 vol. 505 art. no. 166702, s. 1–7. — Bibliogr. s. 6–7, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2020-03-06. — T. Stobiecki - pierwsza afiliacja: AGH University of Science and Technology, Department of Electronics. — tekst: https://www-1sciencedirect-1com-10000279x000b.wbg2.bg.agh.edu.pl/science/article/pii/S0304885319328173/pdfft?md5=17060ae1886eba108a41566ec7243bee&pid=1-s2.0-S0304885319328173-main.pdf
brak zdefiniowanych słów kluczowych

Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Witold Skowroński

cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1016/j.jmmm.2020.166702

2

Optimization of spin Hall magnetoresistance in heavy-metal/ferromagnetic-metal bilayers / Łukasz KARWACKI, Krzysztof GROCHOT, Stanisław ŁAZARSKI, Witold SKOWROŃSKI, Jarosław KANAK, Wiesław POWROŹNIK, Józef Barnaś, Feliks Stobiecki, Tomasz STOBIECKI // Scientific Reports [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2045-2322. — 2020 vol. 10 art. no. 10767, s. [1-8]. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. [7-8]. — Publikacja dostępna online od: 2020-07-01. - Supplementary Information: {https://static-content.springer.com/esm/art%3A10.1038%2Fs41598-020-67450-3/MediaObjects/41598_2020_67450_MOESM1_ESM.pdf}. — Ł. Karwacki - dod. afiliacja: Polish Academy of Sciences ; K. Grochot, T. Stobiecki - dod. afiliacja: Department of Electronics, AGH University of Science and Technology, Kraków. — tekst: https://www.nature.com/articles/s41598-020-67450-3.pdf
brak zdefiniowanych słów kluczowych

Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Wiesław Powroźnik, Jarosław Kanak, Witold Skowroński, Łukasz Karwacki, Krzysztof Grochot, Stanisław Marek Łazarski

cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1038/s41598-020-67450-3

3

Sposób otrzymywania czynnej wielostanowej struktury pamięci i wielostanowa struktura pamięci — [Method of producing active multi-level memory structure and the multi-level memory structure] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: Piotr RZESZUT, Witold SKOWROŃSKI, Sławomir ZIĘTEK, Tomasz STOBIECKI. — Int.Cl.: G11C 11/00\textsuperscript{(2006.01)}. — Polska. — Opis patentowy ; PL 235585 B1 ; Udziel. 2020-04-06 ; Opubl. 2020-09-07. — Zgłosz. nr P.427097 z dn. 2018-09-17. — tekst: http://patenty.bg.agh.edu.pl/pelneteksty/PL235585B1.pdf
słowa kluczowe: komórka wielobitowa, komórka wielostanowa, pamięć nieulotna, pamięć wielostanowa, MRAM

keywords: multi-bit cell, multi-state cell, multi-state memory, MRAM, non volatile memory, multi-level cell, multi-level memory

Zobacz pełny wykaz publikacji Autora/Autorów: Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Piotr Rzeszut

cyfrowy identyfikator dokumentu: