Wykaz publikacji wybranego autora

Tomasz Stapiński, prof. dr hab.

profesor zwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-8386-8002 połącz konto z ORCID

ResearcherID: brak

Scopus: 6701524007

PBN: 5e70922c878c28a0473911f3

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Fotowoltaika na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie[Photovoltaics at AGH University of Science and Technology in Krakow] / Tomasz STAPIŃSKI // W: Biała księga innowacji w fotowoltaice polskiej / pod red. Kazimierza Drabczyka. — Kraków : Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. A. Krupkowskiego Polskiej Akademii Nauk, 2018. — ISBN: 978-83-60768-49-5. — S. 71–96. — Bibliogr. s. 90–96. — Toż pod adresem {http://www.dialog-pv.pl/download/364/}. — Afiliacja Autora: Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

2
  • Właściwości cienkich warstw tlenków cynku, glinu i hafnu otrzymywanych metodą ALD na podłożu szklanym[Properties of zinc, aluminum and hafnium oxide thin films obtained by ALD on glass substrates] / Sławomir ZIMOWSKI, Tomasz STAPIŃSKI, Rafał Pietruszka, Bartłomiej S. Witkowski, Marek Godlewski // W: XVII KKE [Dokument elektroniczny] : Krajowa Konferencja Elektroniki : Darłówko Wschodnie, 3–7.06.2018 : program konferencji / oprac. Damian Bisewski, [et al.]. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Polska : s. n], [2018]. — Dysk Flash. — S. 1. — Wymagania systemowe: Adobe Reader

  • słowa kluczowe: właściwości mechaniczne, tlenek glinu, właściwości optyczne, tlenek cynku, tlenek hafnu, ALD, metoda osadzania warstw atomowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu: