Wykaz publikacji wybranego autora

Wiesław Powroźnik, mgr

specjalista

Faculty of Computer Science, Electronics and Telecommunications
WIEiT-ke

[dyscyplina wiodąca] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0003-2235-8209

ResearcherID: brak

Scopus: brak

PBN: 3999286

System Informacyjny AGH (SkOs)





Liczba pozycji spełniających powyższe kryteria selekcji: 58, z ogólnej liczby 58 publikacji Autora


1
  • 128 [Hundred twenty eight]-channel silicon strip detector implemented in a powder diffractometer
2
  • 128-channel silicon strip detector installed at a powder diffractometer
3
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
4
  • Analiza wpływu warstw buforowych na szorstkość i własności magnetyczne złącz tunelowych z użyciem mikroskopii AFM oraz MFM
5
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
6
  • Application of Grazing Incidence X-Ray Analysis (GIXA) for multilayer systems
7
  • Application of position-sensitive silicon strip detector for X-ray diffraction of thin films and multilayers
8
  • Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayer systems
9
  • Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayers
10
  • Buffer influence on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
11
12
  • Cienkowarstwowe stopy Cu-In wytwarzane technologią impulsowego rozpylania magnetronowego
13
  • Co nowego w spintronice?
14
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
15
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
16
  • Elektronika spinowa
17
18
  • Field-free spin-orbit torque-induced magnetization switching and spin hall magnetoresistance in exchange-biased W/Co/NiO system
19
  • In situ x-ray diffraction study of $CoFeB/MgO/CoFeB$ based P-SV and EB-SV magnetic tunnel junctions
20
  • Influence of annealing on crystallization and magnetic properties of spin valve ${MgO}$ based tunnel magnetoresistance junctions
21
  • Influence of different buffers on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
22
  • Influence of $PtMn$ texture on exchange biased SAF structure with ultrathin $Ru$ spacer
23
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
24
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
25
  • Influence of the texture and roughness on electrical and magnetic properties of spin valve magnetic tunnel junctions with ${Al-O}$ and ${MgO}$ barrier