Wykaz publikacji wybranego autora

Maria Jurzecka-Szymacha, dr inż.

specjalista

Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
WIMiC-kfmp, Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / inżynieria materiałowa


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-1368-9199 orcid iD

ResearcherID: B-3923-2017

Scopus: 38361639600

PBN: 5e70937a878c28a0473aa9c5

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
2
  • Gradientowe warstwy $a-SiN_{x}:H$ osadzane plazmochemicznie w układzie Rf CVDGradient $a-SiN_{x}:H$ layers plasma chemically deposited in RF CVD system / Maria JURZECKA-SZYMACHA, Stanisława KLUSKA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2008 R. 29 nr 6, s. 768–771. — Bibliogr. s. 771, Streszcz., Abstr.. — INPO2008 : Inżynieria Powierzchni = Surface Engineering : Wisła–Jawornik, 2–5.XII.2008 / pod red. Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza, Józefa Jasińskiego. — Katowice : Wydawnictwo SIGMA-NOT, 2008

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

3
  • Modyfikacja powierzchni PEEK za pomocą plazmy niskotemperaturowejSurface modification of the PEEK by using plasma method / Stanisława KLUSKA, Stanisława JONAS, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Karol KYZIOŁ // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2015 R. 36 nr 1, s. 33–36. — Bibliogr. s. 36

  • słowa kluczowe: modyfikacja PEEK, obróbka plazmowa, trawienie jonowe powierzchni

    keywords: plasma treatment, PEEK modification, PECVD

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

4
5
  • Otrzymywanie i właściwości warstw $a-Si:H$ do zastosowań w fotowoltaiceProperties of amorphous silicon layers ($a-Si:H$) deposited by plasma assisted CVD / Ewa PIECZYŃSKA, Piotr BOSZKOWICZ, Maria JURZECKA-SZYMACHA // Logistyka ; ISSN 1231-5478. — 2013 nr 4 dod.: CD Logistyka – nauka : artykuły recenzowane, s. 419–427. — Wymagania systemowe: Adobe Reader ; napęd CD-ROM. — Bibliogr. s. 426–427, Streszcz., Abstr.

  • słowa kluczowe: amorficzny krzem, elipsometria, PACVD

    keywords: amorphous silicon layers, RF PACVD, solar cells, ellipsometry

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

6
  • Reakcje prowadzące do wzrostu warstw $a-SiN_{x}:H$ w układzie PE CVDChemical reactions responsible for a growth of $a-SiN_{x}:H$ layers in PE CVD system / Piotr BOSZKOWICZ, Stanisława JONAS, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2008 R. 29 nr 6, s. 776–779. — Bibliogr. s. 779, Streszcz., Abstr.. — INPO2008 : Inżynieria Powierzchni = Surface Engineering : Wisła–Jawornik, 2–5.XII.2008 / pod red. Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza, Józefa Jasińskiego. — Katowice : Wydawnictwo SIGMA-NOT, 2008

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

7
  • RF PE CVD deposition of amorphous a-$Si_{x}N_{y}:H$ layers for application in solar cells / Maria JURZECKA, Stanisława KLUSKA, Stanisława JONAS, Halina CZTERNASTEK, Katarzyna ZAKRZEWSKA // Vacuum : Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology ; ISSN 0042-207X. — 2008 vol. 82 iss. 10 spec. iss., s. 1128–1132. — Bibliogr. s. 1132, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2008-01-08. — Proceedings of the 9th Electron Technology conference ELTE 2007 : Cracow, 4–7 September 2007 / guest eds. Tadeusz Pisarkiewicz, Barbara Dziurdzia. — [Dorchester] : Elsevier, 2008. — Zastosowano procedurę peer review. — tekst: http://goo.gl/ZWJEX9

  • keywords: solar cells, optical properties, amorphous a-SixNy:H layers, RF CVD method

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1016/j.vacuum.2008.01.030

8
9
  • Synergiczne układy warstwowe: azotek krzemu – warstwa przejściowa na multikrystalicznym krzemieSynergetic layer systems: silicon nitride – transition layer on multicrystalline silicon / Wojciech Bąk, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Stanisława JONAS, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2010 R. 31 nr 4, s. 864–868. — Bibliogr. s. 867–686

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu:

10
11
12
  • The optical and thermo-optical properties of non-stoichiometric silicon nitride layers obtained by the PECVD method with varying levels of nitrogen content / Stanisława KLUSKA, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Natalia Nosidlak, Piotr Dulian, Janusz Jaglarz // Materials [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 1996-1944. — 2022 vol. 15 iss. 6 art. no. 2260, s. 1-12. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. 11-12, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2022-03-18. — tekst: https://www.mdpi.com/1996-1944/15/6/2260/pdf

    orcid iD
  • keywords: spectroscopic ellipsometry, thermooptical properties, PECVD technique, amorphous SiNx:H layers

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.3390/ma15062260

13
  • The optical properties of thin film alloys of ZnO, $TiO_2$ and $ZrO_2$ with $Al_2O_3$ synthesised using atomic layer deposition / Natalia Nosidlak, Janusz Jaglarz, Andrea Vallati, Piotr Dulian, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Sylwia Gierałtowska, Aleksandra Seweryn, Łukasz Wachnicki, Bartłomiej S. Witkowski, Marek Godlewski // Coatings [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2079-6412. — 2023 vol. 13 iss. 11 art. no. 1872, s. 1–12. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. 11–12, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2023-10-31. — tekst: https://www.mdpi.com/2079-6412/13/11/1872/pdf?version=1698811743

    orcid iD
  • keywords: ellipsometry, optical properties, ALD deposition, thin dielectric films

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.3390/coatings13111872

14
  • Thermo-optical properties of high-refractive-index plasma-deposited hydrogenated amorphous silicon-rich nitride films on glass / Janusz Jaglarz, Maria JURZECKA-SZYMACHA, Stanisława KLUSKA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH // Optical Materials Express [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2159-3930. — 2020 vol. 10 no. 11, s. 2749-2756. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Tryb dostępu: https://www.osapublishing.org/viewmedia.cfm?uri=ome-10-11-2749&seq=0 [2020-10-23]. — Bibliogr. s. 2755-2756, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2020-10-09. — W bazie Web of Science zakres stron: 2741-2748

    orcid iD
  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1364/OME.396150

15
  • Warstwy a-SiNx:H o różnej zawartości azotu osadzane w układzie PECVDa-SiNx:H layers of various nitrogen content deposited with PECVD / Katarzyna TKACZ-ŚMIECH, Piotr BOSZKOWICZ, Stanisława KLUSKA, Maria JURZECKA-SZYMACHA // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2010 R. 31 nr 4, s. 1260–1264. — Bibliogr. s. 1264

  • brak zdefiniowanych słów kluczowych

    cyfrowy identyfikator dokumentu: