Wykaz publikacji wybranego autora

Maciej Wołoszyn, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
WFiIS-kis, Katedra Informatyki Stosowanej i Fizyki Komputerowej


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk ścisłych / dziedzina nauk fizycznych / fizyka


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0001-9896-1018 orcid iD

ResearcherID: C-8728-2011

Scopus: 55878971300

PBN: 5e709208878c28a04738eec4

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)



Statystyka obejmuje publikacje afiliowane AGH od 2008 roku włącznie

typ publikacji
rocznikl. publ.książkifragm.referatyartykułypatentymapyred. czas.inne
ogółem8032552
202411
2023523
202211
2021431
2020422
201955
2018211
20176123
20161055
2015624
2014743
2013514
201244
201122
201011
2009514
2008321
200733
2006312
2004211
200211
język publikacji
rocznikrazempolskojęzyczneanglojęzycznepozostałe języki
ogółem8080
202411
202355
202211
202144
202044
201955
201822
201766
20161010
201566
201477
201355
201244
201122
201011
200955
200833
200733
200633
200422
200211
kraj wydania
rocznikrazempubl. krajowepubl. zagraniczne
ogółem803248
202411
202355
202211
202144
202044
2019523
201822
2017615
20161082
2015633
2014743
2013523
201244
2011211
201011
2009523
200833
2007312
2006312
2004211
200211
Lista Filadelfijska
rocznikrazempubl. z LFpubl. pozostałe
ogółem804931
202411
2023532
202211
2021413
2020422
201955
2018211
2017633
20161055
2015642
2014734
2013541
201244
201122
201011
2009532
2008312
200733
2006321
2004211
200211
punktacja MNiSW
rocznikrazempubl. z pkt. MNiSWpubl. pozostałe
ogółem805228
202411
2023532
202211
2021422
202044
201955
2018211
2017642
20161055
2015642
2014734
2013541
201244
201122
201011
2009541
2008312
200733
200633
200422
200211
publikacje recenzowane
rocznikrazempubl. recenzowanepubl. nierecenzowane
ogółem805723
202411
2023532
202211
2021422
202044
201955
201822
2017642
20161055
2015642
2014734
2013541
201244
201122
201011
2009541
2008312
200733
2006321
200422
200211



1
2
  • An influence of dephasing processes on the '\emph{$2k_{F}$}' scattering mechanism of conduction electrons in the three-dimensional structurally disordered systems
3
  • Application of non-classical distribution function to transport properties of semiconductor nanodevices
4
  • Boltzmann approach to the problem of transient currents in electronic devices
5
  • Coherent potential approximation technique in a simple example of resistivity calculations for binary alloys
6
  • Conformity and mass media influence in the Sznajd model on regular lattices
7
  • Correlation between charge transport and photoelectrochemical performance of $TiO_{2}$ thin films
8
  • Density of states in structurally disordered 1D chains of atoms
9
  • Dissipative transport of thermalized electrons through a nanodevice
10
  • Dynamical entropic measure of nonclassicality of phase-dependent family of Schrödinger cat states
11
  • Dynamical localisation of conduction electrons in one-dimensional disordered systems
12
  • Dynamical tunneling of the defective Schrödinger cat states
13
  • Dynamics of the defective Schrödinger cat state in dispersive media
14
  • Effect of a double constriction on the magnetotransport properties of semiconductor nanowires
15
  • Effect of elastic and inelastic scattering on electronic transport in open systems
16
  • Effect of magnetic dopants on transport properties of trilayer nanostructure
17
  • Effect of reservoirs on transport properties of doped structures
18
  • Effect of structural disorder on the electronic density of states in one-dimensional chain of atoms
19
  • Expulsion from structurally balanced paradise
20
  • Hysteresis loops of spin-dependent electronic current in a paramagnetic resonant tunnelling diode
21
  • Influence of barrier width on spin-polarisation measured by point contact Andreev reflection
22
  • Influence of dephasing and geometrical parameters on quantum correction to DC conductance of cylindrical nanowires
23
  • Influence of dephasing time and geometrical parameters on the quantum corrections to the conductivity of cylindrical nanowire
24
  • Influence of geometrical parameters on the transport characteristics of gated core-multishell nanowires
25
  • Influence of the gate voltage and geometrical parameters on the transport characteristics of core-multishell nanowires